GaN体单晶生长研究进展
周明斌1
李振荣2
范世马岂2
徐卓2
熊志华1
1.江西科技师范大学光电子与通信重点实验室,江西南昌,3300382.西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049
摘要：宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点.以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈.本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望.
关键词：GaNLED衬底GaN体单晶
分类号：O782(晶体生长)
资助基金：国家自然科学基金(61564004)江西省教育厅项目(GJJ160785)
论文发表日期：2017-09-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 7-14 )
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