Ⅲ族氮化物MOCVD生长中的化学反应研究和进展
左然
张红
1.江苏大学能源与动力工程学院,江苏镇江,2120132.江苏大学能源与动力工程学院,江苏镇江,212013
摘要：在Ⅲ族氮化物的MOCVD生长中,存在着生长窗口窄、生长速率低、产生纳米颗粒、反应前体消耗大等问题,它们几乎都和生长中的化学反应有关.随着MOCVD反应器尺寸的增大,由于反应气体驻留时间延长,寄生反应问题更加严重,薄膜质量将更加难以控制.因此,深入了解Ⅲ族氮化物MOCVD生长的化学反应机理,成为控制、优化和预测氮化物薄膜生长的关键.本文总结了前人对GaN生长的气相反应路径的研究,特别是两条相互竞争的气相反应路径,即热解路径和加合路径,也介绍了作者团队近年来的相关研究进展.
关键词：Ⅲ族氮化物MOCVD化学反应
分类号：TN304(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(61474058)江苏省普通高等学校研究生科研创新计划(CXLX11_0573)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 4-9 )
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