提拉法生长超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究
赵绪尧1
孙敦陆2
张会丽1
方忠庆1
权聪1
程毛杰2
1.中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031;中国科学技术大学,安徽合肥2300262.中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031
摘要：采用提拉法生长得到了新型超宽禁带透明半导体材料β-Ga2O3单晶,对其进行了物相分析和结晶质量的表征.XRD测试结果显示所获得的晶体为单一β相,晶体摇摆曲线半峰宽为3.48,峰形对称,表明具有较高的结晶质量.测试了晶体的透过光谱和荧光光谱,外推法得到晶体的禁带宽度为4.78 eV.
关键词：β-Ga2O3单晶提拉法宽禁带半导体
分类号：O782+.5(晶体生长)
资助基金：国家重点研发计划(2016YFB1102301)国家重点实验室开放基金(SKL2015KF01)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 10-12 )
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