SiC单晶生长技术研究现状
刘春俊
北京天科合达半导体股份有限公司,北京,100190
摘要：本文回顾了碳化硅单晶材料的发展历程和研究现状.主要讨论了物理气相传输法、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法等SiC晶体生长方法,针对每种生长方法,阐述了其生长原理及研究现状.
关键词：碳化硅单晶生长物理气相传输法
分类号：O782(晶体生长)
资助基金：北京市科技计划项目(D171100004517001)北京市科技新星项目(Z171100001117068)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 18-21 )
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