GaN衬底材料的研究与发展
修向前
张荣
1.南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,2100232.南京大学电子科学与工程学院,江苏南京,210023
摘要：GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的.本文介绍了宽禁带氮化物半导体衬底材料研究方面技术原理、新方法以及所取得最新进展.大量创新性的衬底技术的应用,给自支撑GaN衬底在半导体微电子器件和光电子器件等领域大规模生产和应用提供了可能.
关键词：宽禁带半导体GaN衬底氢化物气相外延
分类号：O484.1(固体物理学)
资助基金：国家重点研发计划(2017YFB0404201)江苏省自然科学基金(BK20141320)江苏省自然科学基金(BE2015111)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 1-8 )
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