固态照明中SiC衬底材料产业化关键问题的研究
高攀
忻隽
严成锋
黄维
刘学超
施尔畏
1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,2018002.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,2018003.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,2018004.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,2018005.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,2018006.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800
摘要：半导体照明行业已形成数百亿美元的产业规模,其中SiC衬底材料具有非常优异的性能,特别适合制造低能耗、大功率、长寿命的照明器件.本文主要围绕物理气相传输法(PVT)产业化制备大尺寸、低缺陷SiC晶体所需解决的4个关键问题展开研究讨论:高纯原料的制备提纯、热场的精确模拟、晶体缺陷的控制以及大尺寸SiC晶体的制备,最终实现高质SiC晶体材料的产业化建设和批量生产能力,为我国固态照明的发展提供关键的核心材料.
关键词：固态照明碳化硅物理气相传输法晶体生长
分类号：O78(晶体生长)
资助基金：国家自然科学基金(61501437)国家重点研发计划(2016YFB0400400)上海市科技创新行动计划(17511106200)中国科学院科技服务网络计划项目（STS）(KFJ-SW-STS-156)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 1-6 )
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