InGaN/GaN多量子阱绿光发光二极管内量子效率研究进展
郭志民
中国铝业集团有限公司,北京100062;国家轻工业照明电器信息中心,北京100022
摘要：氮化镓基发光二极管(LED)具有绿色环保、节能降耗以及寿命长等优点,广泛应用在半导体照明、户外显示及可见光通信等领域.绿光LED有源区的In组分很高,会导致更高的缺陷密度和更大的极化电场,因此其内量子效率还不到蓝光LED的一半,是三基色照明急需解决的难点.本文对目前提升InGaN/GaN多量子阱绿光LED的关键技术和主要进展进行了综述.通过P型层生长工艺优化、变温量子阱及复合缓冲层等技术改善量子阱晶体质量,通过阶梯量子阱结构和半极性InGaN量子阱生长技术来降低极化电场强度,最终提高绿光LED的内量子效率.
关键词：氮化镓绿光LED内量子效率
分类号：TN312+.8(半导体技术)
论文发表日期：2018-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 6-10 )
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