生长时间对二硫化钼的化学气相生长及其光电性能的影响
石侃
张敏
祝祖送
安庆师范大学物理与电气工程学院,安徽安庆,246133
摘要：二硫化钼(MoS2)的光电子性质与其层数密切相关,少层MoS2因其潜在的应用前景而得到了广泛的研究.本文采用化学气相沉积(CVD)法成功制备了单层高质量的Mos2样品,分别用光学显微镜、拉曼光谱、PL光谱对其表面形貌和光电性能进行了表征,重点探讨了生长时间对MoS2样品的生长及其光电性能的影响.结果 表明,通过控制生长时间能有效调控MoS2的形貌和光电性能,单层MoS2的最佳生长时间为25 min.
关键词：二硫化钼化学气相沉积生长时间晶化质量
分类号：O614.6(无机化学)TB43(工业通用技术与设备)
资助基金：安徽省高等学校自然科学研究重点项目(KJ2019A0575)教育部卓越工程师教育培养计划项目产学合作协同育人项目(201802070102)安庆师范大学资助项目(2017JYXM034)安庆师范大学物理与电气工程学院资助项目(Wdxy2018jyxm001)
论文发表日期：2019-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 7-11 )
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