高功率密度紫外LED结温测量与仿真
钱坤1
韩秋漪1
荆忠2
张善端1
1.复旦大学电光源研究所,上海2004332.上海迈芯光电科技有限公司,上海201612
摘要：散热性能的好坏决定了高功率密度紫外LED的辐射效率和寿命.其中结温是判断芯片热学性能的重要指标之一.本文设计了紫外LED的水冷系统,采用正向电压法和红外测温法测量了紫外LED芯片的结温以及基板温度,同时利用COMSOL进行实验系统仿真.结果表明,在电流20 A、水冷温度20℃时,单颗紫外LED芯片的输入功率为73.38 W,功率密度815.3 W/cm2,结温70℃.仿真与实验结果相符.
关键词：紫外LED结温正向电压法红外测温法COMSOL
分类号：TN312.8(半导体技术)
论文发表日期：2020-07-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：9( 1-9 )
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