掺质极宽禁带半导体β-Ga2O3单晶光电性质调控研究进展
蒋孟飞1
张乃霁1
刘皓月1
万玲玉2
覃善华2
夏长泰3
1.广西大学物理科学与工程技术学院,广西 南宁530004;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海2018002.广西大学物理科学与工程技术学院,广西 南宁5300043.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800
摘要：近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点.由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8～4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm3,其单晶可以通过多种熔体法生长,故β-Ga2 O3是一种极具潜力的应用于大功率电子设备和深紫外(DUV)光电探测器的半导体材料.本文综述介绍了β-Ga2 O3晶体的结构、光电性质和单晶生长方法,总结了不同掺质β-Ga2 O3晶体的光学性质和电学性质.人们可以通过不同掺质对晶体的光电性质进行调控,以满足不同的应用目的 .最后总结了β-Ga2 O3晶体在功率器件、LED衬底和日盲探测器方面的应用.
关键词：宽禁带半导体β-Ga2O3晶体掺质光学性质电学性质
分类号：TM23(电工材料)
资助基金：中国科学院上海光学精密机械研究所科创计划(2019-28)国家自然科学基金(51972319)
论文发表日期：2020-08-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：11( 1-11 )
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