Micro-LED的应力与远场调控研究综述
魏伟1
李诚诚2
陶涛3
陈志忠4
陈怡颖1
聂鑫俣1
张国义5
1.盐城师范学院江苏省智能光电器件与测控工程研究中心,江苏盐城2240072.南方科技大学工学院电子与电气工程系,广东深圳5180553.南京大学电子科学与工程学院,江苏南京2100334.北京大学物理学院,北京1000915.北京大学东莞光电研究院,广东东莞523808
摘要：结合国家推进的政策,分析了目前Micro-LED的巨大市场需求,以及最近几年大型企业对Micro-LED的大力投资.然后分析了 Micro-LED芯片的发展动态,概括出目前Micro-LED用于显示或者光通信所遇到的巨大技术难题,包括量子效率随着Micro-LED尺寸的减小而急剧减小以及普通尺寸LED的朗伯远场光分布随着Micro-LED尺寸的减小而不再符合.针对这两个技术难点分析了其原因,量子效率低下的原因主要是侧壁损伤和应力导致的内量子效率低下,Micro-LED不再符合朗伯分布的原因是因为随着Micro-LED的减小,发生全反射的光的急剧减少导致的非朗伯分布.最后针对目前的难点提出了一种新的解决方案,通过侧壁牺牲层和应力调节层来实现.
关键词：Micro-LED量子效率朗伯分布应力调节非朗伯分布
分类号：TN312.8(半导体技术)
资助基金：江苏省双创博士项目(JSSCBS20211145)
论文发表日期：2022-02-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 1-5,10 )
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