深紫外LED的外延技术进展
杨浩1
杨鸿志2
高涛3
郭伟杰1
覃国恒2
1.厦门大学国家集成电路产教融合创新平台,厦门大学电子科学与技术学院,福建厦门3610052.开发晶照明(厦门)有限公司,福建厦门3611153.厦门通士达照明有限公司,福建厦门361199
摘要：深紫外LED(UVC LED)是新型紫外线光源,可应用于病毒消杀、工业、通信等领域.近年来,AlGaN基UVC LED的外延技术取得了显著的发展,器件性能不断提升,展现出了良好的应用前景.本文综述了 UVC LED外延技术的研究进展,主要介绍衬底、外延工艺与外延结构对UVC LED光电性能的影响.
关键词：深紫外LEDAlGaN外延量子阱
分类号：TN312.8(半导体技术)
资助基金：产业化项目(2022G050)
论文发表日期：2022-07-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 1-5 )
英文信息