940 nm近红外VCSEL的宽温区光电特性研究
李光耀1
郑曦1
贺江奇2
袁聪1
卢霆威1
吕毅军1
陈忠1
郭伟杰1
1.厦门大学电子科学与技术学院,福建厦门 3610052.宁波甬强科技有限公司,浙江宁波 315825
摘要：发光波长为940 nm 的垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有效率高、可避免红爆、易于集成等特点,在消费电子、视觉成像、3D传感等领域具有广阔的应用前景.然而,工作环境温度的变化,会影响VCSEL的光电性能.为了实现光电系统的宽温区工作,有必要研究VCSEL 的光电特性随温度、工作电流的变化规律.本文针对单颗VCSEL芯片、24颗芯片并联阵列、多芯片集成并联阵列等3 种典型的940 nm VCSEL,进行了变温电致发光特性研究.研究结果表明,芯片串联电阻随温度的变化而变化,对VCSEL 的电特性产生重要影响,VCSEL发光波长的漂移与自发热效应有着重要联系.
关键词：VCSEL940 nm光电特性宽温区电流
分类号：TM23(电工材料)
论文发表日期：2023-11-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 16-20 )
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