P型覆盖层生长温度和厚度对LED可靠性的研究
张文燕
佛山市国星半导体技术有限公司,广东佛山 238000
摘要：随着半导体材料的不断发展,以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料GaN具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性.广泛应用于高亮度发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池以及高温、高频和高功率电子器件制造等领域.GaN基发光二极管(LED)市场的高速增长,对LED产品的质量要求越来越高,目前由于晶格失配、膜层应力、穿透位错或缺陷等因素的影响,会在外延结构的MQW多量子阱层中形成V-pits缺陷,V-pits在一定程度上可以抑制载流子非辐射复合,提升发光效率.但是如果单方面追求V-pits,会导致P型覆盖层(本文提到的P型覆盖层含P-GaN和P-AlGaN)很难将其填充好,容易导致外延结构出现反向漏电的情况,进一步影响器件的抗静电能力.因此本文主要研究P型覆盖层的生长条件对LED器件可靠性的影响,从P型覆盖层的生长温度和生长厚度两方面来展开讨论.
关键词：V-pitsP型覆盖层可靠性
分类号：TN312+.8(半导体技术)
论文发表日期：2024-10-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 15-20 )
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