GaN基垂直结构LED的Ni-Sn键合工艺研究
旷明胜
佛山市国星半导体技术有限公司,广东 佛山 528000
摘要：金属键合是电子器件封装中的重要技术.本文研究了Ni-Sn晶圆键合条件对键合质量的影响,通过优化键合条件降低了Ni-Sn晶圆键合的孔洞及翘曲,制备成垂直结构LED器件并通过可靠性老化测试验证了晶圆键合的质量.研究结果表明:250℃/5000 kgf条件下键合 15 min制备的器件老化 1000 h,正向电压波动小于0.01 V,光输出功率波动小于3mW.
关键词：金属键合垂直结构LEDNi-Sn晶圆键合孔洞翘曲
分类号：TN312+.8(半导体技术)
论文发表日期：2024-12-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 9-13 )
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