近紫外LED抗EOS性能及优化策略的实验研究
管志斌1
张顕敏2
胡轶1
1.武警部队遵义支队,贵州 遵义 5630002.晶能光电股份有限公司,江西 南昌 330096
摘要：针对近紫外LED抗电气过应力(EOS)能力低的问题,采用浪涌发生器搭建EOS测试平台,探索不同芯片尺寸、串不同大小的电阻、不同的电路拓扑等对抗EOS能力的影响.结果显示,与静电放电(ESD)主要是反向击穿不同,近紫外LED的EOS损伤主要是正向过流损伤,增大芯片尺寸、串联电阻分压、先并再串都可以提高LED对抗EOS的能力.根据测试结果,提出防护策略的基本原则,即大尺寸芯片(芯片边长≥36 mil)采用串联电阻防护,小尺寸芯片(芯片边长≤20 mil)器件有串并结合的先并联后串联,这样可提高抗EOS耐压50%以上.
关键词：近紫外LEDEOS电路拓扑电阻芯片尺寸
分类号：TN312+.8(半导体技术)
论文发表日期：2025-12-25
在线出版日期：2026-01-08（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 67-69,154 )
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