重复经颅磁刺激对轻度认知功能障碍患者记忆功能改善作用的研究
闫丽丽
陶华英
1.天津医科大学总医院神经病学研究所神经生理室,3000522.天津医科大学总医院神经病学研究所神经生理室,300052
摘要：目的 研究重复经颅磁刺激对轻度认知功能障碍患者记忆功能的改善及延缓记忆减退进程的作用.方法 选择轻度认知功能障碍患者25例,随机分为磁刺激治疗组(治疗组)12例和对照组13例,分别于治疗前和治疗5个月后进行记忆测试和脑电图检查,比较记忆商及脑电功率的改变.结果 与对照组比较,治疗组患者治疗后记忆商、指向记忆、联想学习、人像特点回忆评分明显升高(P<0.05);δ频带FP1、Fp2、F3、P3、T5 导联、θ频带F4、O2、F7、T4 导联相对功率比明显降低(P<0.05),α频带C3、T5导联、β频带T3导联、γ频带F3、C4、F7、F8、T3、T4 导联相时功率比明显升高(P<0.05,P<0.01),F3、F4、O1、O2、F7、T4、T5、T6、导联α/θ功率比明显升高(P<0.05).结论 重复经颅磁刺激能够改善轻度认知功能障碍患者的记忆功能及脑电功率分布,且在一定程度上延缓脑波慢化和记忆减退.
关键词：认知障碍记忆障碍脑图经颅磁刺激痴呆危险因素
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 438-441 )
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