电针预处理对大鼠脑缺血再灌注损伤后EAAT2的表达研究
陈巍1
张森森2
孙彭龄1
1.第二军医大学长征医院麻醉科,上海,20000312.第二军医大学长征医院检验科,上海,2000031
摘要：目的 研究电针预处理对脑缺血再灌注损伤后大鼠缺血半暗带兴奋性谷氨酸转运体2(EAAT2)表达的影响,探讨EAAT2在电针预处理诱导脑缺血耐受中的作用.方法 18只SD雄性大鼠随机分为3组(n=6):分别为假手术(Sham)组、右侧大脑中动脉阻闭(MCAO)组、电针预处理(EA)组.假手术组仅分离血管,不进行阻闭,术后24h检测;MCAO组用MCAO法致缺血120 min后于再灌注24h检测;EA组大鼠予电针刺激30 min,刺激结束2h后处理同MCAO组.3组大鼠在观察神经行为学变化后取材,通过2,3,5-氯化三苯四唑(TTC)染色评估梗死面积,并检测EAAT2mRNA及蛋白表达水平.结果 电针预处理能明显降低脑梗死容积百分比(P＜0.01),提高MCAO大鼠神经行为学评分,诱导脑缺血耐受并抑制脑缺血再灌注损伤后24 h EAAT2表达的下降(P＜0.01).结论 脑缺血再灌注损伤后,EAAT2表达下降,而电针预处理能显著抑制缺血半暗带EAAT2的表达下调,诱导脑缺血耐受,从而减轻脑缺血再灌注损伤.
关键词：电针预处理兴奋性谷氨酸转运体2脑缺血神经保护
分类号：R245.97(中医临床学)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 232-235 )
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