电针预处理对脑缺血再灌注后SOD2的表达影响
孙思斯
高杨
刘瞾宇
陈绍洋
王强
1.第四军医大学西京医院麻醉科,陕西西安,7100322.第四军医大学西京医院麻醉科,陕西西安,7100323.第四军医大学西京医院麻醉科,陕西西安,7100324.第四军医大学西京医院麻醉科,陕西西安,7100325.第四军医大学西京医院麻醉科,陕西西安,710032
摘要：目的 观察电针预处理对脑缺血再灌注后锰超氧化物歧化酶表达的影响.方法 成年雄性C57小鼠随机分为假手术组(sham)、电针预处理组(EA)、大脑中动脉栓塞组(MCAO)、电针加大脑中动脉栓塞组(EA+ MCAO),采用MCAO法诱导小鼠局灶性脑缺血再灌注模型.再灌2h应用Western blot以及免疫荧光组织化学染色技术检测SOD2表达,再灌24 h评估神经行为学、测量脑梗死容积和神经细胞凋亡.结果 脑缺血再灌注2h,SOD2表达显著降低,而电针预处理可上调SOD2的表达,增加SOD2在神经元的免疫荧光强度.同时电针预处理可改善缺血再灌注后的神经功能障碍,减轻脑梗死容积率,减少末端脱氧核苷酸转移酶介导的生物素脱氧尿嘧啶核苷酸缺口末端标记法(TUNEL)阳性细胞数目.结论 电针预处理可上调脑缺血再灌注后SOD2表达,可能参与其诱导的脑保护作用.
关键词：电针预处理缺血再灌注损伤锰超氧化物歧化酶脑保护
分类号：R322.61(人体形态学)
资助基金：国家自然科学基金(81173394)国家自然科学基金(81072888)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 236-240 )
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