功率LED热特性分析
毛德丰
郭伟玲
高国
沈光地
1.北京工业大学北京光电子技术实验室,北京,1001242.北京工业大学北京光电子技术实验室,北京,1001243.北京工业大学北京光电子技术实验室,北京,1001244.北京工业大学北京光电子技术实验室,北京,100124
摘要：随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数.因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在.本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高.并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大.随着LED两端所加电流的增大,3 W白光LED的热阻呈上升趋势,而1 W白光LED的热阻随电流增加基本不变.
关键词：光电子热阻正向电压法功率发光二极管
资助基金：国家863计划项目资助(SQ2007AA03Z431230)北京市人才强教计划项目资助(05002015200504)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 30-34 )
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