紫外发光二极管发展现状及展望
闫建昌
孙莉莉
王军喜
李晋闽
1.中国科学院半导体研究所,中科院半导体照明研发中心2.中国科学院半导体研究所,中科院半导体照明研发中心3.中国科学院半导体研究所,中科院半导体照明研发中心4.中国科学院半导体研究所,中科院半导体照明研发中心
摘要：紫外波段依据波长通常可以划分为:长波紫外或UVA(320<入≤400 nm)、中波紫外或UVB(280<入≤320nm)、短波紫外或UVC(200<入≤280 nm)以及真空紫外VUV(10<入≤200 nm)[1].紫外发光二极管(LED)因其在激发白光、生化探测、杀菌消毒、净化环境、聚合物固化以及短距离安全通讯等诸多应用领域有着巨大的潜在应用价值而备受关注.此外,基于氮化铝镓(AIGaN)材料的紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势,拥有广阔的应用前景.目前全球紫外光源市场规模约为4.27亿美元,不过传统紫外汞灯仍然占据市场主导地位.与传统紫外汞灯相比,AIGaN基紫外LED有着长寿命、低电压、波长可调、环保、方向性好、迅速切换、耐震耐潮、轻便灵活等众多优点.随着技术的发展,将成为未来新型应用的主流.
机标关键词：紫外发光二极管现状及展望发展现状
资助基金：国家重点研发计划(2016YFB0400800)国家重点研发计划(2016YFB04000802)国家重点研发计划(2016YFB04000803)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：1( 前插3-前插5 )