量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究
吴月芳
郭伟玲
陈艳芳
雷亮
1.北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,1001242.北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,1001243.北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,1001244.北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124
摘要：本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响.结果表明:随着阱宽的增加,LED的电流密度变小;在阱宽为5 nm左右时,LED的发光功率最高,但此时器件的波长位于橙色区域内,并且此时器件的发光效率较低;在阱宽为2.5 nm~3.5 nm时,发光效率最大,且波长在蓝光范围内;阱宽一定时,随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象.深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现,束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因,而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因.
关键词：蓝光LED光电性能器件仿真量子阱
分类号：TN312.8(半导体技术)
资助基金：国家863资助项目(2015AA033304)16教师队伍建设-青年拔尖项目 (市级)(2000543116503)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 5-9 )
英文信息