共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析
尹越1
田婷1
刘志强1
王江华2
伊晓燕1
梁萌1
闫建昌1
王军喜1
李晋闽1
1.中国科学院半导体研究所照明研发中心,北京100083;中国科学院大学,北京100049;北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心,北京 1000832.鹤壁市大华实业有限公司,河南鹤壁,458000
摘要：使用共晶焊替代倒装焊,制备了由10颗LED微晶粒串联而成的共晶焊倒装高压LED.随后通过芯片外观对比及相关光电性能测试证实,共晶焊倒装高压LED在1W电注入下光功率相比倒装焊高压LED可提升10.5％,并且光效下降现象得到缓解.同时,ANSYS热模拟结果表明:共晶焊倒装结构芯片具有更好的散热特性,适合于大电流驱动.
关键词：共晶焊LED高压倒装结构性能表征
分类号：TM923(电气化、电能应用)
资助基金：国家重点研发计划(2017YFB0403300)国家重点研发计划(2017YFB0403302)北京市科委项目(Z161100002116032)广州市科技计划(201704030106)广州市科技计划(201604030035)
论文发表日期：2019-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 26-31 )
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