氮化物紫外LED研究与应用
薛斌
王军喜
曾一平
李晋闽
闫建昌
1.中国科学院半导体研究所,北京1000832.中国科学院半导体研究所,北京1000833.中国科学院半导体研究所,北京1000834.中国科学院半导体研究所,北京1000835.中国科学院半导体研究所,北京100083
摘要：随着Ⅲ-族氮化物材料与器件技术的不断发展,基于高Al组分氮化物的紫外LED受到广泛关注.本文主要介绍近年来紫外LED在外延、芯片及应用方面的研究进展.紫外LED的量子效率受晶体质量、掺杂效率、光提取等技术难题的制约,还有很大的发展潜力.随着研究的不断深入,紫外LED的性能将进一步提升,并在消毒净化、环境监测、光固化、无创光疗、非视距保密通信等领域得到广泛应用.
关键词：紫外LEDAlGaNAlN氮化物发光二极管
分类号：TN36(半导体技术)
资助基金：国家重点研发计划(2016YFB0400800)
论文发表日期：2020-02-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 1-7 )
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