GaN基LED能效的研究进展
李梦梅
胡小玲
郭伟玲
1.北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京 1000202.北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京 1000203.北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京 100020
摘要：目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode,LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位.随着LED外延和芯片技术的提升,LED的能效也得到了快速的提升.本文介绍了影响LED光源能效的因素;叙述了影响LED能效的内量子效率(internal quantum efficiency,IQE)和外量子效率(external quantum efficiency,EQE)的提升技术,阐述了GaN基LED能效的提升进程,最后对LED能效的未来发展进行了总结与展望.
关键词：GaN基发光二极管能效内量子效率外量子效率
分类号：TN383+.1(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(11674016)
论文发表日期：2020-02-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 8-15 )
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