基于电流和双高斯模型的RGB LED光谱仿真与研究
蒋腾1
卓宁泽2
谢琳艳1
刘晓峰2
王海波2
1.南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京2118162.南京工业大学电光源材料研究所,江苏南京210009;轻工业部南京电光源材料科学研究所,江苏南京210015
摘要：为了探究电流改变对RGB LED芯片光度学、色度学参数产生的影响以及双高斯模型在不同电流下对RGBLED芯片光学特性的预测准确性.结果 表明,随着驱动电流IF的增加,红光光谱向长波方向移动,绿光和蓝光光谱产生蓝移,RGB LED芯片的半高宽呈线性增加.不同电流下,双高斯模型拟合得到的光谱与实测光谱接近,红色芯片拟合光谱与实测光谱的相关系数最高为0.993257,绿色为0.994372,蓝色为0.992654,色品坐标(x,y)误差均在3％以内.RGB LED混合高、低色温白光,拟合光谱与实测光谱的相关系数在0.984267以上,拟合色坐标与实测色坐标接近.双高斯模型适用于不同电流下RGB LED混合白光设计,具有一定的理论指导和实践依据.
关键词：发光二极管LED混光双高斯模型驱动电流光谱相关系数
分类号：O433(光学)
资助基金：国家重点研发计划(2016YFB0400600)江苏省自然科学基金(BK20171128)
论文发表日期：2020-02-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 22-26 )
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