在蓝宝石图形衬底上外延高性能LED
乔良1
杨海艳2
张诗娟2
陆羽3
1.华北科技学院计算机学院,河北三河065201;东莞南方半导体科技有限公司,广东东莞5230002.东莞南方半导体科技有限公司,广东东莞5230003.安徽工业大学数理科学与工程学院,安徽马鞍山 243002
摘要：在较大尺寸的蓝宝石衬底上生长氮化镓(GaN)基发光二极管(light emitting diode,LED)外延往往会发生较为明显的翘曲状况,这会导致整个外延片发光一致性降低.本文通过优化非故意掺杂氮化镓层的生长参数,调节了外延层中的应力,该外延层的晶体质量得到改善.实验结果表明,优化生长条件后的LED样品,翘曲程度明显降低,发光一致性和均匀性得到提升.
关键词：蓝宝石衬底发光二极管翘曲
分类号：TN312+.8(半导体技术)
资助基金：廊坊市科学技术研究与发展计划(2019011032)
论文发表日期：2020-10-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 82-84 )
英文信息