基于分子动力学的压力对纳米抛光碳化硅的影响分析
张广辉1
王桂莲1
王治国2
徐进友1
1.天津理工大学天津市先进机电系统设计与智能控制重点实验室,天津,3003842.桂林航天工业学院机械工程学院,广西 桂林,541004
摘要：本文运用分子动力学基本原理建立了金刚石磨粒抛光碳化硅工件的三维模拟模型,对线性增大抛光压力时系统势能、 碳化硅工件的温度与材料去除量的变化规律进行了深入分析.研究结果表明:随着抛光压力的线性增加,系统势能和工件温度首先明显增大,然后增速变得缓慢,最后趋于动态平衡的状态,工件表面的材料去除形式由压实去除转变为犁沟去除,直至大变形切削过程,工件表面的原子去除数量近似指数函数变化.
关键词：碳化硅抛光压力材料去除
分类号：TG580.692(金属切削加工及机床)
资助基金：国家自然科学基金(51405196)中国博士后科学基金(2015M580245)
论文发表日期：2018-11-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 25-29 )
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