Be掺杂浓度对ZnBeO体系电子结构的影响
张牛1
刘亚明2
张文庆2
侯振雨2
1.中原工学院,郑州,4500072.河南科技学院,新乡,453003
摘要：采用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了Zn16 -nBenO16掺杂体系所有的652种不同几何构型.结果表明:掺入ZnO的Be原子均匀分散,不出现聚集,与实验中没有观测到ZnO和BeO出现相分离这一现象吻合；掺杂浓度为25％、50％和75％时,掺杂的Be原子均匀对称地分布在32个原子组成的超原胞中,此时体系处于最稳状态；优化Be浓度从0到100％的掺杂体系几何结构,获得的晶格参数与实验值吻合较好,符合Vegard' Law拟合带隙曲线,得到的禁带弯曲系数b为5.76 eV.
关键词：Be掺杂ZnO第一原理
分类号：O474(半导体物理学)
资助基金：河南省基础与前沿技术研究计划(102300410128)河南省教育厅科技攻关计划(2011B140008)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 34-38 )
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