Gd3+掺杂对白光LED用Y2.88Al5O12∶Ce3+荧光粉性能的影响
罗林龄1
钟多军1
何君1
李莎1
马明星2
1.中核建中核燃料元件有限公司,四川 宜宾 6644002.中原工学院材料与化工学院,河南郑州 450007
摘要：采用化学共沉淀法一次煅烧工艺制备了Y2.88-xGdxAl5O12∶0.06Ce3+(x=0～0.5)系列荧光粉,研究了Gd3+掺杂对制备的荧光粉样品的晶体结构、发光性能和光色性能的影响.研究结果表明:Gd3+掺杂没有改变样品晶体结构,晶胞参数先减小后增大;其激发光谱分布在320～520 nm,激发峰位于340 nm和450 nm处,可被蓝光InGaN芯片有效激发;在450 nm蓝光激发下,发射光谱强度先增大后减小,光谱峰位从533 nm红移到542 nm,色坐标点向白光坐标曲线移动.
关键词：Y2.88Al5O12∶Ce3+白光LED共沉淀法Gd3+掺杂发光性能
分类号：O482.31(固体物理学)
论文发表日期：2023-08-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 19-23 )
英文信息