两种CNT/BNNT聚集体的第一性原理计算
刘明生
刘奇鹏
程一凡
方建雄
张茜
穆云超
黄权
中原工学院材料电子与储能学院,河南郑州 450007
摘要：结合第一性原理计算,构建了两种CNT/BNNT异质结构,并研究了这两种结构的高压相变行为以及相变后材料的性能.经过高压模拟,得到了六方结构的H-C(3.0)BN和单斜结构的M-C(4.0)BN,它们都是准直接带隙半导体,带隙值分别为3.17 eV和1.01 eV;H-C(3.0)BN的硬度值为47.4 GPa,M-C(4.0)BN的硬度值为25.7 GPa;H-C(3.0)BN在[100]方向上具有最大抗拉强度,其值为53.2 GPa,M-C(4.0)BN在[001]方向上具有最大的抗拉强度,其值为66.8 GPa,两种结构的抗拉强度都优于BNNT.由模拟结果可知,H-C(3.0)BN和M-C(4.0)BN都是很好的光学材料.
关键词：CNT/BNNT异质结构第一性原理计算准直接带隙硬度
分类号：O469(凝聚态物理学)
论文发表日期：2024-12-25
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 24-30 )
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