可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用
江泳
杜峰
崔光照
胡智宏
1.郑州轻工业学院,信息与控制工程系,河南,郑州,4500022.郑州轻工业学院,信息与控制工程系,河南,郑州,4500023.郑州轻工业学院,信息与控制工程系,河南,郑州,4500024.郑州轻工业学院,信息与控制工程系,河南,郑州,450002
摘要：对可控硅误触发行为及关断过程的分析表明,du/dt参数固定的条件下,di/dt的临界值越高,电路的可靠性越高.di/dt临界值大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但能提高电路的可靠性,还可以降低成本.
关键词：可控硅误导通关断过程门极关断电流下降率门极关断电压变化率
分类号：TP211(自动化技术及设备)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 44-45 )
英文信息