掺杂SO2-4对In2O3电导和气敏性能的影响
葛秀涛1
刘杏芹2
李永红1
1.滁洲学院,化学系,安徽,滁洲,2390122.中国科学技术大学,材料科学与工程系,安徽,合肥,230026
摘要：用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料, 并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明: SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187 ℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度.
关键词：SO2-4掺杂氧化铟气敏性能超声分散浸渍法气敏材料
分类号：TP212.2(自动化技术及设备)
资助基金：安徽省教育厅自然科学研究项目(2004kj289)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 29-31 )
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