Ho 掺杂 BaTiO3 陶瓷的介电性能研究
李涛
李俊丰
陈镇平
1.郑州轻工业学院,技术物理系,河南,郑州,4500022.郑州轻工业学院,技术物理系,河南,郑州,4500023.郑州轻工业学院,技术物理系,河南,郑州,450002
摘要：采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3 的 Ba1-xHoxTiO3陶瓷,并对其电阻率及介电性能进行测量,结果表明:加入适量的Ho3+替代BaTiO3中的Ba2+能很好地改善材料的介电性能.x=0.006时,电阻率最大,介电损耗最大;x=0.008时,相对介电常数最大.同时发现,陶瓷的介电常数随频率的增加而降低,介电损耗随频率的增加而升高.
关键词：BaTiO3陶瓷掺杂Ho介电性能
分类号：TQ174(硅酸盐工业)O656.32(分析化学)
资助基金：河南省自然科学基金(0411023100)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 41-43 )
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