钇离子钙位掺杂对 CaCu3 Ti4 O12陶瓷材料压敏性能的调控
陈镇平1
项会雯2
李涛1
张雨1
陈鑫1
孙新科3
1.郑州轻工业学院 物理与电子工程学院,河南 郑州,4500022.郑州轻工业学院 物理与电子工程学院，河南 郑州 450002; 郑州轻工业学院 材料与化学工程学院，河南 郑州 4500013.郑州轻工业学院 材料与化学工程学院,河南 郑州,450001
摘要：采用传统固相反应法制备了 Ca（1- x）Yx Cu3 Ti4 O12（x =0，0.005，0.010，0.015，0.020，0.030，0.040）陶瓷样品.利用 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜及高压数字源表等测试手段，对所得样品的微观结构和压敏性能进行了表征，并分析讨论了晶界势垒变化影响体系压敏性能的原因.结果表明，不等价的钇离子（Y3+）钙位掺杂未引起体系结构相变；体系晶粒生长与掺杂量有明显的关联，掺杂改变了样品的致密度及晶界处的化学环境；Y3+掺杂对 CaCu3 Ti4 O12陶瓷材料压敏性能有明显的调控作用，适量掺杂 Y3+（x =0.010~0.020）可显著提高样品的非线性系数和压敏电压.
关键词：钇离子钙位掺杂CaCu3 Ti4 O12陶瓷材料压敏性能势垒高度
分类号：O482.4(固体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(11175159)研究生科技创新项目(01015)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 6-10 )
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