La2 Hf2 O7栅介质薄膜的制备和结构表征
李俊玉
张焕君
1.郑州轻工业学院 物理与电子工程学院,河南 郑州,4500022.郑州轻工业学院 物理与电子工程学院,河南 郑州,450002
摘要：采用脉冲激光沉积（PLD）技术在 Si （100）衬底上制备出高介电常数La2 Hf2 O7栅介质薄膜。利用 X 射线衍射（XRD）、同步辐射 X 射线反射（XRR）和X 射线光电子能谱（XPS）测试了薄膜的微观结构和界面特性，以及退火处理对其的影响。结果表明，初始制备的薄膜呈非晶态，经1000℃退火的后处理，晶化成晶态的 La2 Hf2 O7薄膜；生长过程当中，La2 Hf2 O7与 Si 衬底之间形成硅氧化物和硅酸盐结构的界面层，界面层的厚度与生长条件密切相关，合适的生长条件或后处理措施可以有效地抑制硅氧化物界面层出现，进而提高 La2 Hf2 O7栅介质薄膜的介电性能。
关键词：脉冲激光沉积技术La2 Hf2 O7 栅介质薄膜介电性能
分类号：O484(固体物理学)
资助基金：河南省教育厅科技重点项目(12A140015)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 104-108 )
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