具有择优取向的GaN粉末的制备与性能研究
康利平
王伶俐
王海燕
张晓冬
王永强
1.郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州,4500022.郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州,4500023.郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州,4500024.郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州,4500025.郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州,450002
摘要：采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga2O3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的GaN的结构、形貌进行表征和分析,使用荧光光度计采集GaN的光致发光光谱进行发光性能研究.结果表明,GaN具有(002)择优取向,其颗粒外形和尺寸均与原料相似,系由几十纳米的晶片团聚而成的棒状颗粒所组成;GaN的近带边发射峰为346 nm(3.584 eV),相比较块材的近带边发射峰有19 nm(187 meV)的蓝移.
关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN粉末择优取向发光性能蓝移
分类号：TB34(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(51302250)郑州市科技局前沿科技研究与发展项目(141PQYJS552)郑州轻工业学院校内科研项目(2013XJJ010)
论文发表日期：2017-09-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 42-48 )
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