Ti4+掺杂Fe位对CuFeO2陶瓷材料结构和介电性能的影响
谷留停
叶凤娇
彭科
代海洋
刘德伟
陈镇平
1.郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州,4500012.郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州,4500013.郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州,4500014.郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州,4500015.郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州,4500016.郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州,450001
摘要：以CuO,Fe2O3和TiO2为主要原料,采用固相反应法制备了CuFe1-xTixO2(0≤x≤0.08)陶瓷系列样品,对所得样品的结构、形貌和介电性能进行了表征和分析,并利用内部阻挡层模型(IBLC)对样品的微观结构与介电性能的关联规律进行了物理解释.结果表明,掺杂样品均具有单相铜铁矿结构;适量的Ti4+掺杂能够促进铜铁矿CuFeO2陶瓷样品的晶粒生长,而较大浓度的Ti4掺杂则会对铜铁矿CuFeO2陶瓷样品的晶粒生长有明显的抑制作用,同时会破坏较为致密的晶体形貌;未掺杂及少量Ti4掺杂(x=0.005和0.01)样品展现出室温巨介电性能,适当掺杂Ti4+可以有效提高体系的介电性能;IBLC模型可以解释Ti4+掺杂CuFeO2样品的介电机理,即CuFeO2陶瓷体系的微观形貌能明显影响体系的巨介电性能.
关键词：CuFeO2陶瓷材料Ti4+掺杂晶体结构微观形貌介电性能
分类号：TM271(电工材料)
资助基金：国家自然科学基金(11675149)郑州轻工业学院研究生创新基金(2017051)
论文发表日期：2019-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 43-49 )
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