晶粒生长过程的蒙特卡罗模拟方法
刘新田
安阳工学院,河南,安阳,455000
摘要：计算机模拟晶粒生长所用的模型及模拟方法大体可分3种:蒙特卡罗(Monte Carlo)方法或改进的蒙特卡罗方法(简称MC法)、使用连续扩散界面场模型以及将细胞状的晶粒结构看作Laguere棋盘形布局来处理的Laguerre模型.特别是应用于模拟焊接热影响区(HAZ)晶粒长大的二维和三维过程取得了较好结果,但在生长模型的边界处理等方面有待继续完善,特别是晶粒生长与晶化温度、时间、气氛等参数密切相关,这种复杂工艺条件下的晶粒生长过程的模拟,是当前该领域正待解决的难题.
关键词：计算机模拟蒙特卡罗方法焊接热影响区晶粒生长
分类号：TG401(焊接、金属切割及金属粘接)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 6-9 )
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