Ga1-xAlxN/GaN量子点红外吸收谱
蔡琳
吕燕伍
1.北京交通大学,理学院,北京,1000442.北京交通大学,理学院,北京,100044
摘要：用有效质量理论对Ga1_xAlxN/GaN量子点的红外吸收谱进行研究.采用差分方法求解量子点的薛定谔方程,给出量子点的导带子带能谱.计算发现量子点的基态束缚能随Al分数x的增加而增大,随其半径的增大而减小.计算量子点的吸收系数发现,量子点的体积大小严格控制着它的光子吸收特征,量子点半径变小时,其吸收峰发生蓝移,相应吸收峰的峰值也就越大,研究结果对于设计高性能的红外光电探测器和激光器具有指导意义的.
关键词：有效质量理论氮化物半导体红外吸收子带能谱
分类号：O472.3(半导体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(60376014)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 13-16 )
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