BaBrCl:Ce3+光存储性能的研究
董金凤
王永生
孟宪国
王丽辉
1.北京交通大学,理学院,北京,1000442.北京交通大学,理学院,北京,1000443.北京交通大学,理学院,北京,1000444.北京交通大学,理学院,北京,100044
摘要：采用高温固相反应法制备了Ce3+掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3+中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于～390 nm;DAS为500～750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2+(X=Cl,Br)相比,该吸收带与He-Ne激光器(633 nm),或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配.表明BaBrCl:Ce3+有望成为一类新型的X射线存储材料.
关键词：BaBrCl:Ce3+光存储电子俘获稀土
分类号：O482.3(固体物理学)
资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）(10274001)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 34-36,42 )
英文信息