LPCVD在TOPCon太阳能电池中的工艺探究
陈骏
赵增超
黄嘉斌
李明
李兵
邓新新
刘湘祁
湖南红太阳光电科技有限公司,湖南 长沙 410221
摘要：本文利用管式低压化学气相沉积(LPCVD)设备,在太阳能电池硅片上进行热氧化,生成隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池的隧穿氧化层和沉积本征多晶硅薄膜,并通过磷扩散进行磷原子掺杂.探究了氧化硅和多晶硅膜层沉积一致性的情况,以及相关的氧化层、多晶硅层和磷扩散掺杂的工艺特性.结果表明,采用炉口炉中双进气方式可以显著提高石英舟前后端沉积多晶硅厚度的均匀性.较小的隧穿氧化层氧气流量(8 L/min)能改善炉尾端的隧穿氧化层厚度并提升其少子寿命.在较低的温度和较高的压力条件下生长的多晶硅的晶化程度相对较低,但这并不会对磷扩散掺杂后的少子寿命产生显著的影响.在580℃、610℃和630℃条件下,温度越高,生长的多晶硅晶化程度越高,生长速度也越快,但是不同条件下生长的多晶硅在磷扩散后的晶化程度一致.此外,隧穿氧化层的厚度会影响磷原子在多晶硅层的分布,在一定程度上磷原子可以穿透隧穿层扩散至基底,从而改善少子寿命.在相同厚度的多晶硅层条件下,磷扩散温度越高,表面浓度越高;在相同的磷扩散条件下,多晶硅厚度越厚,表面浓度越低.
关键词：多晶硅隧穿氧化层晶化率少子寿命表面浓度LPCVD
分类号：TM914.4(独立电源技术（直接发电）)TB383(工程材料学)
论文发表日期：2025-08-25
在线出版日期：2025-09-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 273-279,300 )
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