一种基于180 nm CMOS工艺的超高频忆阻电路设计
杨达亿
于昕梅
佛山大学电子信息工程学院,广东 佛山 528225
摘要：提出一种基于SMIC 180 nm CMOS工艺的超高频集成忆阻电路,采用四晶体管结构并利用MOSFET非线性开关特性和栅极电压控制实现忆阻行为,利用Cadence仿真软件进行了仿真与验证.研究结果表明:所提忆阻电路的拓扑结构简单,电路版图面积仅 45 μm2,1GHz功耗为 14.04 μW;在±0.9 V直流供电的条件下,工作频率可高达 1 GHz,在 500 MHz～1 GHz的频率范围内,具有良好的磁滞回线;构建的蔡氏混沌电路表现出良好的混沌效果,可用于混沌集成电路、信息安全等领域.
关键词：集成忆阻电路超高频磁滞回线
分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)
资助基金：广东省普通高校重点实验室资助项目(2021KSYS008)
论文发表日期：2025-11-30
在线出版日期：2025-12-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 33-38 )
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