高输入功率应力对GaN芯片特性的影响研究
韩滔
王宁
任翔
常成
陆涛
殷鹏毅
孙佳川
航天科工防御技术研究试验中心 北京 100039
摘要：氮化镓器件的质量可靠性问题成为越来越多用户关注的问题,论文模拟器件高输入功率应用场景,监测了试验过程中氮化镓器件的退化情况,通过对试验结果的分析,总结出退化机理.
关键词：高输入功率氮化镓器件退化
分类号：TN304.5(半导体技术)
论文发表日期：2025-11-20
在线出版日期：2026-01-28（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 162-164,184 )
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