化学气相沉积法在金属衬底上制备石墨烯及其H2刻蚀的研究进展
王宇薇1
王彬2
1.锦州师范高等专科学校环境科学学院,辽宁锦州1210002.渤海大学化学与材料工程学院,辽宁锦州121013
摘要：自2004年首次亮相以来,石墨烯由于其优异的电学、光学、机械和化学性能引起了科学界极大的兴趣.目前,化学气相沉积(CVD)法是制备石墨烯的重要并且最有效的方法之一,利用CVD法制备的石墨烯在不同领域有着广泛的应用.本文分析了石墨烯在金属Ni和Cu衬底上的生长机理,介绍了在Cu衬底上利用CVD法制备石墨烯的研究进展,同时,阐述了石墨烯的H2刻蚀现象及相关应用.研究石墨烯的H2刻蚀,能够进一步理解石墨烯的生长机理,更好的促进石墨烯在微电子等领域的发展.
关键词：化学气相沉积石墨烯刻蚀研究进展
分类号：O793(晶体物理化学过程)
资助基金：2019-ZD-0509(No)
论文发表日期：2021-06-15
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 111-118 )
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