真空度对碳纳米管场发射显示器的影响研究
田昌会1
朱长纯2
王琪琨2
刘兴辉2
王小力2
1.空军工程大学,理学院,陕西,西安,710051;西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,7100492.西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安,710049
摘要：建立了碳纳米管场发射环境下电子与气体碰撞的数理模型.通过实验观察和理论分析说明:碳纳米管场发射显示器在常规阴阳极间距下,在不同真空度下的显示均为电子轰击荧光粉发光所致,在低真空度下也无气体放电产生紫外光致荧光粉发光;当真空度太低时,气体电离会降低实际加在阴阳极间的电压,致使电子无法发射.通过电子与气体分子的碰撞频率计算可以说明,用气体压力与阴阳极间距的乘积作为标准衡量气体对场发射的影响比仅用真空度来衡量更为合理.场发射显示器阴阳极间距越大,对真空度的要求越高.
关键词：碳纳米管场发射真空度电子碰撞频率
分类号：TN304.18(半导体技术)TN104.3(真空电子技术)
资助基金：国家自然科学基金(60036010)高等学校博士学科点专项科研基金(2000069823)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 33-35,40 )
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