晶体硅的间接带隙随温度变化关系
郑姣明
刘金秋
石梦妍
吴天鸣
1.大连理工大学运载工程与力学学部 辽宁大连1160222.大连理工大学运载工程与力学学部 辽宁大连1160223.大连理工大学运载工程与力学学部 辽宁大连1160224.大连理工大学运载工程与力学学部 辽宁大连116022
摘要：自1958年集成电路发明以来,半导体单晶硅材料以其丰富的资源、一系列优良的物理、化学性质而成为生产规模最大、生产工艺最完善和成熟的半导体材料,也是目前在所有已知材料中被研究的最为充分的材料.单晶Si材料的禁带宽度Eg是表明半导体Si特性的一个极其重要的物理量,它对材料的本征吸收长波限、光电导截止波长、本征载流子浓度、发光器件的辐射光谱特性以及受光器件的光谱响应特性等都有决定性的作用.而禁带宽度是温度的函数,温度变化,禁带宽度也将随着变化,这将引起吸收特性、发光特性、受光特性、光电导特性等发生变化.本报告将从半导体Si的禁带宽度随温度变化关系和测量半导体Si禁带宽度的温度系数的方法等方面进行阐述.
关键词：单晶硅禁带宽度温度
分类号：O471.4(半导体物理学)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：1( 12 )