恒流作用下V型半导体桥电热特性研究
胡剑书
焦清介
1.北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室,北京市,1000812.北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室,北京市,100081
摘要：文章介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理.通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小,发火电流越大,则发火时间越快的关系.但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度.作者同时给出了一个计算升温时间的公式.
关键词：半导体桥V型角发火时间
分类号：TQ565+.1(爆炸物工业、火柴工业)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 4-6 )
英文信息