Zr掺杂CeO2电子结构的密度泛函计算
李梅
李岩峰
柳召刚
胡艳宏
付海
1.内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古,包头,0140102.内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古,包头,0140103.内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古,包头,0140104.内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古,包头,0140105.内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古,包头,014010
摘要：根据密度泛函理论,采用"总体能量平面波"超软赝势方法,对不同的zr掺杂浓度的CeO2晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Zr掺杂CeO2晶体结构参数及性质;计算了zr掺杂情况下CeO2晶体的总体能量、能带结构、总波态密度和分波态密度.研究表明,Z一取代Ce4+及Ce3+后晶体的穗定性增强,同时掺杂Zr使得晶格中自由载流子电子和O2p的波态密度的增加,使得晶格中Ce3+和Ce4+之间的变价可能性增大.
关键词：密度泛函理论电子结构掺杂
分类号：TN302(半导体技术)O646.54(物理化学（理论化学）、化学物理学)
资助基金：国家自然科学基金(50662002)内蒙古自治区自然科学基金(200711020210)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 13-16 )
英文信息