含前驱体SiC粉体低压成型低温烧结SiC多孔陶瓷
刘坚1
许云书2
熊亮萍2
徐光亮3
1.西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,621010;中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,6219002.中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,6219003.西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,621010
摘要：采用聚碳硅烷和SiC粉体为原料低压成型低温烧结制备SiC多孔陶瓷,研究了聚碳硅烷含量对SiC多孔陶瓷性能的影响.SEM分析表明,聚碳硅烷裂解产物将SiC颗粒粘结起来.多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构.烧成SiC多孔陶瓷的孔隙孔径为单峰分布、分布窄.室温至800℃之间多孔陶瓷的平均热膨胀系数为4.2×10-6 K-1.随着聚碳硅烷含量的增大.SiC多孔陶瓷的孔隙率降低、三点弯折强度增大,当聚碳硅烷质量分数为10%时分别为44.3%和31.7MPa.
关键词：多孔陶瓷前驱体低温烧结
分类号：TQ174(硅酸盐工业)
资助基金：中国工程物理研究院科学技术基金(200420502)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 28-30 )
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